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鈴木 翔太; 朝岡 秀人; 魚住 雄輝; 山口 憲司
no journal, ,
Si(110)表面はSi(100)表面と比べ約2.5倍高いキャリア移動度を有しており、Si(100)表面に替わる次世代半導体デバイスの基板材料として注目されている。一方で、理想的なSi(110)表面における構造および反応に関する知見は乏しいのが現状である。規定された理想表面での電子状態や物性化学を解析するためには、ウエハ表面全体にわたって原子レベルで汚染が無く、平坦である必要がある。本研究では、この表面制御技術の確立に向け、8
22mm
サイズSi(110)基板を用いて、標準的な湿式洗浄法を基本とした2つの清浄化過程の評価、及び、清浄化後の表面状態の評価を行った。実験内容として、化学処理による水素終端処理、酸化膜作製処理を行ったSi(110)基板をそれぞれ用意し、基板を超高真空チャンバーに入れ、加熱を試みた。基板の加熱後、LEED(低速電子線回折法)による表面構造解析、およびAES(オージェ電子分光法)による表面元素分析を実施した。実施後のLEED像の結果から、ともにSi(110)再構成表面特有の162構造を示す回折点が現れており、水素脱離、及び酸化膜除去により、清浄表面が得られることが解明された。しかし、今回用いた2つの清浄化手法実施後の表面原子のテラス・ステップ構造については不明な部分が多い。そのため、各手法後のSi(110)表面のモルフォロジー解明に向けてSTMを用いた構造研究が必要である。
の還元により生成したMn酸化物に対するCo
の収着挙動加藤 友彰; 大貫 敏彦; 斉藤 拓巳*; Yu, Q.
no journal, ,
放射性Coの回収技術開発を目的として、微生物細胞を還元剤とし生成したMn(IV)酸化物(biomasss-MnO
)の形成機構とCoの収着挙動について調べた。biomasss-MnOは、乳酸を還元剤として形成させたMnOよりも多くのCoを収着すること、MnOに収着したCoはCo(III)に酸化していることを明らかにした。
魚住 雄輝; 朝岡 秀人
no journal, ,
真空中でSi(111)表面の不純物を除去すると理想のバルク表面構造(11構造)に対して7倍の周期構造(77構造)を形成する。バルクと表面の構造差から77面内にストレスが発生することはVanderbiltの理論計算で明らかにされているものの、その実証報告例は少なく、半導体デバイスに実装されるSi基板のストレスに関する知見は理論計算に基づいて検討されているのが実情である。今回、Si(111)表面の構造変化時における面内ストレスを計測し、理論計算との整合性を評価した。基板調整:Si(111)基板に水素終端処理を施すことで理想バルク表面を模擬したH-Si(111)11構造を作製した。また、表面処理したSi(111)基板を真空中で加熱することによりSi(111)77構造を作製した。実験1: Si(111)77, H-Si(111)11へのGe成長時における水素脱離過程のストレスその場観察を実施した結果、両基板上にGe(111)55構造が形成され、膜厚に比例して増加する圧縮ストレスを捉えた。両者の比較により77構造と11構造のストレス差(1.6N/m)を実験的に観測することに成功した。実験2: Si(111)77基板に原子状水素を照射した結果、表面構造はH-Si(111)11へと変化し、水素吸着により表面ストレスが1.7N/m緩和する様子を捉えた。実験1、2の結果と計算値1.66N/mは良い一致を示し、真空中に存在する77構造内のストレスを初めて計測することに成功した。